TPN4R712MD,L1Q
部品型番:
TPN4R712MD,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18407 Pieces
データシート:
TPN4R712MD,L1Q.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):1.2V @ 1mA
Vgs(最大):±12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ:U-MOSVI
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
電力消費(最大):42W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPN4R712MDL1QDKR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TPN4R712MD,L1Q
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4300pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:65nC @ 5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 20V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
説明:MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):36A (Tc)
Email:[email protected]

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