TPN6R303NC,LQ
部品型番:
TPN6R303NC,LQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19238 Pieces
データシート:
TPN6R303NC,LQ.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.3V @ 200µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ:U-MOSVIII
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):6.3 mOhm @ 10A, 10V
電力消費(最大):700mW (Ta), 19W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPN6R303NC,LQ(S
TPN6R303NCLQ
TPN6R303NCLQTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:TPN6R303NC,LQ
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1370pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:24nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 30V 20A (Ta) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):20A (Ta)
Email:[email protected]

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