TPN6R003NL,LQ
TPN6R003NL,LQ
部品型番:
TPN6R003NL,LQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17324 Pieces
データシート:
TPN6R003NL,LQ.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.3V @ 200µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):6 mOhm @ 13.5A, 10V
電力消費(最大):700mW (Ta), 32W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPN6R003NL,LQ(S
TPN6R003NLLQTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TPN6R003NL,LQ
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1400pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:17nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 30V 27A (Tc) 700mW (Ta), 32W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):27A (Tc)
Email:[email protected]

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