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逆流防止のためのショットキー・リークと発熱

Toshiba-CUHS10F60

新たに開発された2.5 x 1.4mmのUS2Hパッケージ(SOD-323HE)により、CUHS10F60と呼ばれ、105°C / Wの熱抵抗を特長としています。 「このパッケージの熱抵抗は、従来のUSCパッケージに比べて約50%削減されました」と同社は述べています。

東芝の以前のCUS04ショットキダイオードと比較して、最大逆電流は約60%〜40μA低減されています。

逆方向電圧はシリコンショットキ - 60V(この値で上記リークが測定されます)で高く、デバイスの最大電流1Aで500mAで0.46V、0.56Vになります。

ショットキーは量産出荷可能です。