1N1186R
1N1186R
部品型番:
1N1186R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12481 Pieces
データシート:
1.1N1186R.pdf2.1N1186R.pdf

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規格

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:1.2V @ 35A
電圧 - 逆(VR)(最大):200V
サプライヤデバイスパッケージ:DO-5
速度:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ:-
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:DO-203AB, DO-5, Stud
他の名前:1242-1203
1N1186RGN
1N1186RGN-ND
動作温度 - ジャンクション:-65°C ~ 190°C
装着タイプ:Chassis, Stud Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:1N1186R
拡張された説明:Diode Standard, Reverse Polarity 200V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
ダイオードタイプ:Standard, Reverse Polarity
説明:DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:10µA @ 50V
電流 - 平均整流(イオ​​):35A
Vrと、F @キャパシタンス:-
Email:[email protected]

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