1N5620US
部品型番:
1N5620US
メーカー:
Microsemi
説明:
DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
フリーステータス/ RoHS状態:
リード/ RoHS非対応
在庫数量:
14418 Pieces
データシート:
1N5620US.pdf

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規格

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:1.3V @ 3A
電圧 - 逆(VR)(最大):800V
サプライヤデバイスパッケージ:D-5A
速度:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ:-
逆回復時間(trrの):2µs
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:SQ-MELF, A
動作温度 - ジャンクション:-65°C ~ 200°C
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:7 Weeks
製造元の部品番号:1N5620US
拡張された説明:Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
ダイオードタイプ:Standard
説明:DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:500nA @ 800V
電流 - 平均整流(イオ​​):1A
Vrと、F @キャパシタンス:-
Email:[email protected]

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