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1N6630US
- 部品型番:
- 1N6630US
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B
- フリーステータス/ RoHS状態:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 17115 Pieces
- データシート:
- 1N6630US.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 1N6630US、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください 1N6630USをメールでお送りします。
規格
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 1.7V @ 3A |
|---|---|
| 電圧 - 逆（VR）（最大）: | 900V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | D-5B |
| 速度: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| シリーズ: | - |
| 逆回復時間（trrの）: | 50ns |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | E-MELF |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 150°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 17 Weeks |
| 製造元の部品番号: | 1N6630US |
| 拡張された説明: | Diode Standard 900V 1.4A Surface Mount D-5B |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 説明: | DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 4µA @ 100V |
| 電流 - 平均整流（イオ）: | 1.4A |
| Vrと、F @キャパシタンス: | - |
| Email: | [email protected] |
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