2N5114 - Microsemi Corporation - トランジスタ-jfet 2N5114

2N5114

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電圧 - イド@カットオフ（VGSオフ）:	10V @ 1nA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）:	30V
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-18 (TO-206AA)
シリーズ:	Military, MIL-PRF-19500
抵抗 - RDS（ON）:	75 Ohm
電力 - 最大:	500mW
パッケージング:	Bulk
パッケージ/ケース:	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
他の名前:	2N5114MS
運転温度:	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	18 Weeks
製造元の部品番号:	2N5114
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	25pF @ 15V
FETタイプ:	P-Channel
拡張された説明:	JFET P-Channel 90mA @ 18V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	P CHANNEL JFET
電流 - 電圧Vds（VGS = 0）@ドレイン（IDSS）:	90mA @ 18V
Email:	[email protected]