2N5657G
2N5657G
部品型番:
2N5657G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13108 Pieces
データシート:
2N5657G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):350V
IB、IC @ Vce飽和(最大):10V @ 100mA, 500mA
トランジスタ型式:NPN
サプライヤデバイスパッケージ:TO-225AA
シリーズ:-
電力 - 最大:20W
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:TO-225AA, TO-126-3
他の名前:2N5657GOS
運転温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:2 Weeks
製造元の部品番号:2N5657G
周波数 - トランジション:10MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 10MHz 20W Through Hole TO-225AA
説明:TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):30 @ 100mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):100µA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):500mA
Email:[email protected]

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