2SA1930(Q,M)
2SA1930(Q,M)
部品型番:
2SA1930(Q,M)
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14873 Pieces
データシート:
2SA1930(Q,M).pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):180V
IB、IC @ Vce飽和(最大):1V @ 100mA, 1A
トランジスタ型式:PNP
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220NIS
シリーズ:-
電力 - 最大:2W
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
他の名前:2SA1930(Q,M)-ND
2SA1930QM
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:2SA1930(Q,M)
周波数 - トランジション:200MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS
説明:TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):100 @ 100mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):5µA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):2A
Email:[email protected]

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