2SB817C-1E
2SB817C-1E
部品型番:
2SB817C-1E
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PNP 140V 12A
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15223 Pieces
データシート:
2SB817C-1E.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):140V
IB、IC @ Vce飽和(最大):2V @ 500mA, 5A
トランジスタ型式:PNP
サプライヤデバイスパッケージ:TO-3P-3L
シリーズ:-
電力 - 最大:120W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
他の名前:2SB817C-1E-ND
2SB817C-1EOS
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:2 Weeks
製造元の部品番号:2SB817C-1E
周波数 - トランジション:10MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L
説明:TRANS PNP 140V 12A
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):100 @ 1A, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):100µA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):12A
Email:[email protected]

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