2SC3332T-AA - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル 2SC3332T-AA

2SC3332T-AA

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	160V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	400mV @ 25mA, 250mA
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	3-NP
シリーズ:	-
電力 - 最大:	700mW
パッケージング:	Tape & Box (TB)
パッケージ/ケース:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
他の名前:	2SC3332T-AA-ND 2SC3332T-AAOSTB 2SC3332T-AAOSTR 2SC3332T-AAOSTR-ND
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	2SC3332T-AA
周波数 - トランジション:	120MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 700mA 120MHz 700mW Through Hole 3-NP
説明:	TRANS NPN 160V 0.7A NP
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	100 @ 100mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	700mA
Email:	[email protected]