2SC5706-P-TL-E - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル 2SC5706-P-TL-E - BYCHIPS

2SC5706-P-TL-E

部品型番:: 2SC5706-P-TL-E

メーカー:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

説明:: TRANS NPN 100V 5A

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 13640 Pieces

データシート:: 2SC5706-P-TL-E.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	100V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	240mV @ 100mA, 2A
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	2-TP-FA
シリーズ:	-
電力 - 最大:	800mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度:	-
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	2SC5706-P-TL-E
周波数 - トランジション:	400MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 400MHz 800mW Surface Mount 2-TP-FA
説明:	TRANS NPN 100V 5A
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	200 @ 500mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	1µA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	5A
Email:	[email protected]

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