購入 2SK1859-EとBYCHPS
保証付きで購入する
2SK1859-E
- 部品型番:
- 2SK1859-E
- 説明:
- MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 19077 Pieces
- データシート:
- 2SK1859-E.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 2SK1859-E、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください 2SK1859-Eをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | - |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-3P |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 3 Ohm @ 3A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 60W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
| 製造元の部品番号: | 2SK1859-E |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 980pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | - |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 900V 6A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3P |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 900V |
| 説明: | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルの2SK1859-E
最新ニュース
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers