2SK3666-4-TB-E - ON Semiconductor - トランジスタ-jfet 2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

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電圧 - イド@カットオフ（VGSオフ）:	180mV @ 1µA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）:	30V
サプライヤデバイスパッケージ:	3-CP
シリーズ:	-
抵抗 - RDS（ON）:	200 Ohm
電力 - 最大:	200mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	2SK3666-4-TB-E
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	4pF @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
拡張された説明:	JFET N-Channel 2.5mA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	JFET N-CH 30V 0.2W CP
ドレイン電流（Id）の - マックス:	10mA
電流 - 電圧Vds（VGS = 0）@ドレイン（IDSS）:	2.5mA @ 10V
Email:	[email protected]