A2I08H040GNR1 - NXP USA Inc. - トランジスタ-fet、mosfet-rf A2I08H040GNR1 - BYCHIPS

A2I08H040GNR1

部品型番:: A2I08H040GNR1

メーカー:: NXP Semiconductors / Freescale

説明:: IC RF LDMOS AMP

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 18222 Pieces

データシート:: A2I08H040GNR1.pdf

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規格

電圧 - テスト:	28V
電圧 - 定格:	65V
トランジスタ型式:	LDMOS (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-270WBG-15
シリーズ:	-
電力出力:	9W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-270-15 Variant, Gull Wing
他の名前:	935320823528
雑音指数:	-
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	A2I08H040GNR1
利得:	30.7dB
周波数:	920MHz
拡張された説明:	RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15
説明:	IC RF LDMOS AMP
定格電流:	-
電流 - テスト:	25mA
Email:	[email protected]

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