APT47GA60JD40 - Microsemi Corporation - トランジスタ-igbt-モジュール APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	600V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:	2.5V @ 15V, 47A
サプライヤデバイスパッケージ:	ISOTOP®
シリーズ:	POWER MOS 8™
電力 - 最大:	283W
パッケージ/ケース:	SOT-227-4, miniBLOC
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
NTCサーミスタ:	No
装着タイプ:	Chassis Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	APT47GA60JD40
入力容量（量Cies）@ Vceは:	6.32nF @ 25V
入力:	Standard
IGBTタイプ:	PT
拡張された説明:	IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
説明:	IGBT 600V 87A 283W SOT-227
電流 - コレクタ遮断（最大）:	275µA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	87A
コンフィギュレーション:	Single
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
APT47F60J	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227	オンラインお問い合わせ
APTGT400A120G	Microsemi Corporation	IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6	オンラインお問い合わせ
APT47N60BC3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 47A TO-247	オンラインお問い合わせ
APT47N60SC3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK	オンラインお問い合わせ
QID1210005	Powerex Inc.	MOD IGBT 1200V 100A SPLIT SI/SIC	オンラインお問い合わせ
APT47N65BC3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 47A TO-247	オンラインお問い合わせ
APTGT50DH60TG	Microsemi Corporation	IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4	オンラインお問い合わせ
MIO1800-17E10	IXYS	MOD IGBT SGL SWITCH 1700V E10	オンラインお問い合わせ
APT47M60J	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227	オンラインお問い合わせ
APTGT75DA60T1G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT 600V 100A SP1	オンラインお問い合わせ
APT47N65SCS3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 47A TO-247	オンラインお問い合わせ