APT70GR65B2SCD30
部品型番:
APT70GR65B2SCD30
メーカー:
Microsemi
説明:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18896 Pieces
データシート:
APT70GR65B2SCD30.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大):2.4V @ 15V, 70A
試験条件:433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃:19ns/170ns
サプライヤデバイスパッケージ:T-MAX™ [B2]
シリーズ:*
電力 - 最大:595W
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:TO-247-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:22 Weeks
製造元の部品番号:APT70GR65B2SCD30
IGBTタイプ:NPT
ゲートチャージ:305nC
拡張された説明:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
説明:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
電流 - コレクタパルス(ICM):260A
電流 - コレクタ(Ic)(Max):134A
Email:[email protected]

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