APTC90H12T2G - Microsemi Corporation - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ APTC90H12T2G - BYCHIPS

APTC90H12T2G

部品型番:: APTC90H12T2G

メーカー:: Microsemi

説明:: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 18989 Pieces

データシート:: APTC90H12T2G.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	3.5V @ 3mA
サプライヤデバイスパッケージ:	SP2
シリーズ:	CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	120 mOhm @ 26A, 10V
電力 - 最大:	250W
パッケージング:	Tray
パッケージ/ケース:	SP2
運転温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Chassis Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	APTC90H12T2G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	6800pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	270nC @ 10V
FETタイプ:	4 N-Channel (H-Bridge)
FET特長:	Super Junction
拡張された説明:	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	900V
説明:	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	30A
Email:	[email protected]

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