APTM100H45FT3G
部品型番:
APTM100H45FT3G
メーカー:
Microsemi
説明:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17560 Pieces
データシート:
1.APTM100H45FT3G.pdf2.APTM100H45FT3G.pdf

簡潔な

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 2.5mA
サプライヤデバイスパッケージ:SP3
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):540 mOhm @ 9A, 10V
電力 - 最大:357W
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:SP3
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:22 Weeks
製造元の部品番号:APTM100H45FT3G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4350pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:154nC @ 10V
FETタイプ:4 N-Channel (H-Bridge)
FET特長:Standard
拡張された説明:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP3
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1000V (1kV)
説明:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):18A
Email:[email protected]

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