APTM120A80FT1G
部品型番:
APTM120A80FT1G
メーカー:
Microsemi
説明:
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14671 Pieces
データシート:
1.APTM120A80FT1G.pdf2.APTM120A80FT1G.pdf

簡潔な

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 2.5mA
サプライヤデバイスパッケージ:SP1
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):960 mOhm @ 12A, 10V
電力 - 最大:357W
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:SP1
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:APTM120A80FT1G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:6696pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:260nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長:Standard
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V (1.2kV)
説明:MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):14A
Email:[email protected]

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