AUIRF1018E - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル AUIRF1018E

AUIRF1018E

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 100µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220AB
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	8.4 mOhm @ 47A, 10V
電力消費（最大）:	110W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
他の名前:	SP001519520
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	AUIRF1018E
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2290pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	69nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 60V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	79A (Tc)
Email:	[email protected]