購入 AUIRFU8401とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.9V @ 500µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I-Pak |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4.25 mOhm @ 60A, 10V |
電力消費(最大): | 79W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前: | IRAUIRFU8401 SP001518756 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 13 Weeks |
製造元の部品番号: | AUIRFU8401 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2200pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 63nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 40V 100A (Tc) 79W (Tc) Through Hole I-Pak |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 40V |
説明: | MOSFET N-CH 40V 100A IPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |