BD810G
BD810G
部品型番:
BD810G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PNP 80V 10A TO-220AB
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19325 Pieces
データシート:
BD810G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80V
IB、IC @ Vce飽和(最大):1.1V @ 300mA, 3A
トランジスタ型式:PNP
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220AB
シリーズ:-
電力 - 最大:90W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:2 Weeks
製造元の部品番号:BD810G
周波数 - トランジション:1.5MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 1.5MHz 90W Through Hole TO-220AB
説明:TRANS PNP 80V 10A TO-220AB
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):15 @ 4A, 2V
電流 - コレクタ遮断(最大):1mA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):10A
Email:[email protected]

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