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BDV65B
- 部品型番:
- BDV65B
- 説明:
- TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218
- フリーステータス/ RoHS状態:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 12529 Pieces
- データシート:
- BDV65B.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 BDV65B、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください BDV65Bをメールでお送りします。
規格
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 100V |
|---|---|
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 2V @ 20mA, 5A |
| トランジスタ型式: | NPN - Darlington |
| サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-93 |
| シリーズ: | - |
| 電力 - 最大: | 125W |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-218-3 |
| 運転温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | BDV65B |
| 周波数 - トランジション: | - |
| 拡張された説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93 |
| 説明: | TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 1000 @ 5A, 4V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 1mA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 10A |
| Email: | [email protected] |
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