BF5030WH6327XTSA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-rf BF5030WH6327XTSA1 - BYCHIPS

BF5030WH6327XTSA1

BF5030WH6327XTSA1

部品型番:: BF5030WH6327XTSA1

メーカー:: International Rectifier (Infineon Technologies)

説明:: FET RF 8V 800MHZ SOT343

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 13701 Pieces

データシート:: BF5030WH6327XTSA1.pdf

オンラインお問い合わせ

簡潔な

BYCHIPSは、 BF5030WH6327XTSA1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください BF5030WH6327XTSA1をメールでお送りします。

購入 BF5030WH6327XTSA1とBYCHPS

保証付きで購入する

規格

電圧 - テスト:	3V
電圧 - 定格:	8V
トランジスタ型式:	N-Channel
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-343
シリーズ:	-
電力出力:	-
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SC-82A, SOT-343
他の名前:	BF 5030W H6327 BF 5030W H6327-ND SP000753488
雑音指数:	1.3dB
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	BF5030WH6327XTSA1
利得:	24dB
周波数:	800MHz
拡張された説明:	RF Mosfet N-Channel 3V 10mA 800MHz 24dB SOT-343
説明:	FET RF 8V 800MHZ SOT343
定格電流:	25mA
電流 - テスト:	10mA
Email:	[email protected]

同様のモデルのBF5030WH6327XTSA1

絵	部品型番	メーカー	説明	ビュー
	BLF573S,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B	オンラインお問い合わせ
	MRFE6VP100HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780	オンラインお問い合わせ
	BLF25M612,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B	オンラインお問い合わせ
	A2T23H300-24SR6	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	オンラインお問い合わせ
	ATF-511P8-BLK	Broadcom Limited	FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC	オンラインお問い合わせ
	PTFA212001EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2	オンラインお問い合わせ
	2SK2854(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET RF N CH 10V 500MA	オンラインお問い合わせ
	BF5030WE6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343	オンラインお問い合わせ
	BLL6H1214-500,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A	オンラインお問い合わせ
	BLF6G10-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A	オンラインお問い合わせ
	PD57060STR-E	STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10	オンラインお問い合わせ
	MRF5S21045MBR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4	オンラインお問い合わせ
	SLD-1083CZ	RFMD	FET RF 35V 928MHZ RF083	オンラインお問い合わせ

最新ニュース