BFG35,115 - NXP USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-rf BFG35,115

BFG35,115

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	18V
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-223
シリーズ:	-
電力 - 最大:	1W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-261-4, TO-261AA
他の名前:	568-6187-2 933919910115 BFG35 T/R BFG35 T/R-ND BFG35,115-ND BFG35115
運転温度:	175°C (TJ)
ノイズ指数（F @デシベル標準）:	-
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	16 Weeks
製造元の部品番号:	BFG35,115
利得:	-
周波数 - トランジション:	4GHz
拡張された説明:	RF Transistor NPN 18V 150mA 4GHz 1W Surface Mount SOT-223
説明:	TRANS NPN 10V 150MA SOT223
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	25 @ 100mA, 10V
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	150mA
Email:	[email protected]