購入 BSB028N06NN3 GとBYCHPS
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BSB028N06NN3 G
- 部品型番:
- BSB028N06NN3 G
- 説明:
- MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 13032 Pieces
- データシート:
- BSB028N06NN3 G.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 BSB028N06NN3 G、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください BSB028N06NN3 Gをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 102µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 3-WDSON |
| 他の名前: | BSB028N06NN3 G-ND BSB028N06NN3G BSB028N06NN3GXUMA1 SP000605956 |
| 運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 製造元の部品番号: | BSB028N06NN3 G |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 12000pF @ 30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 143nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 60V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 60V |
| 説明: | MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 22A (Ta), 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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