BSZ018NE2LSI
BSZ018NE2LSI
部品型番:
BSZ018NE2LSI
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16835 Pieces
データシート:
BSZ018NE2LSI.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TSDSON-8-FL
シリーズ:OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.8 mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大):2.1W (Ta), 69W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
他の名前:BSZ018NE2LSI-ND
BSZ018NE2LSIATMA1
SP000906032
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:BSZ018NE2LSI
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2500pF @ 12V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:36nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 25V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:25V
説明:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):22A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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