BUB323ZT4G
BUB323ZT4G
部品型番:
BUB323ZT4G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16155 Pieces
データシート:
BUB323ZT4G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):350V
IB、IC @ Vce飽和(最大):1.7V @ 250mA, 10A
トランジスタ型式:NPN - Darlington
サプライヤデバイスパッケージ:D2PAK
シリーズ:-
電力 - 最大:150W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:BUB323ZT4GOS
BUB323ZT4GOS-ND
BUB323ZT4GOSTR
運転温度:-65°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:20 Weeks
製造元の部品番号:BUB323ZT4G
周波数 - トランジション:2MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK
説明:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):500 @ 5A, 4.6V
電流 - コレクタ遮断(最大):100µA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):10A
Email:[email protected]

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