BUV21G
BUV21G
部品型番:
BUV21G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN 200V 40A TO-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14689 Pieces
データシート:
BUV21G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):200V
IB、IC @ Vce飽和(最大):1.5V @ 3A, 25A
トランジスタ型式:NPN
サプライヤデバイスパッケージ:TO-3
シリーズ:SWITCHMODE™
電力 - 最大:250W
パッケージング:Tray
パッケージ/ケース:TO-204AE
他の名前:BUV21G-ND
BUV21GOSOS
運転温度:-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:2 Weeks
製造元の部品番号:BUV21G
周波数 - トランジション:8MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3
説明:TRANS NPN 200V 40A TO-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):20 @ 12A, 2V
電流 - コレクタ遮断(最大):3mA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):40A
Email:[email protected]

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