C3M0065100K
C3M0065100K
部品型番:
C3M0065100K
メーカー:
Cree
説明:
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13511 Pieces
データシート:
C3M0065100K.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 5mA
Vgs(最大):+19V, -8V
技術:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-247-4L
シリーズ:C3M™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):78 mOhm @ 20A, 15V
電力消費(最大):113.5W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-4
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
製造元の部品番号:C3M0065100K
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:660pF @ 600V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:35nC @ 15V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1000V (1kV)
説明:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):35A (Tc)
Email:[email protected]

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