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C3M0120100K
C3M0120100K
部品型番:
C3M0120100K
メーカー:
Cree
説明:
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14174 Pieces
データシート:
C3M0120100K.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:3.5V @ 3mA
Vgs（最大）:±15V
技術:SiCFET (Silicon Carbide)
シリーズ:C3M™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:170 mOhm @ 15A, 15V
電力消費（最大）:83W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:4-SIP
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:C3M0120100K
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:350pF @ 600V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:21.5nC @ 15V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1000V (1kV) 22A 83W (Tc) Through Hole
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:15V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:1000V (1kV)
説明:1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:22A
Email:[email protected]

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