CSD75207W15 - Texas Instruments - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ CSD75207W15

CSD75207W15

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1.1V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:	9-DSBGA
シリーズ:	NexFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	162 mOhm @ 1A, 1.8V
電力 - 最大:	700mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	9-UFBGA, DSBGA
他の名前:	296-40008-2 CSD75207W15-ND
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	CSD75207W15
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	595pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	3.7nC @ 4.5V
FETタイプ:	2 P-Channel (Dual)
FET特長:	Logic Level Gate
拡張された説明:	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 3.9A 700mW Surface Mount 9-DSBGA
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	-
説明:	MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	3.9A
Email:	[email protected]