DGD2118S8-13
DGD2118S8-13
部品型番:
DGD2118S8-13
メーカー:
Diodes Incorporated
説明:
IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SO
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13178 Pieces
データシート:
DGD2118S8-13.pdf

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規格

電源電圧 - :10 V ~ 20 V
サプライヤデバイスパッケージ:8-SO
シリーズ:-
立上り/立下り時間(Typ):75ns, 35ns
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
入力周波数:1
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:DGD2118S8-13
ロジック電圧 - VIL、VIH:6V, 9.5V
入力タイプ:Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):600V
ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
拡張された説明:High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
駆動構成:High-Side
説明:IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SO
電流 - ピーク出力(ソース、シンク):290mA, 600mA
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大):Single
Email:[email protected]

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