DMJ70H1D3SH3
DMJ70H1D3SH3
部品型番:
DMJ70H1D3SH3
メーカー:
Diodes Incorporated
説明:
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13920 Pieces
データシート:
DMJ70H1D3SH3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-251
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
電力消費(最大):41W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-251-3 Stub Leads, IPak
他の名前:DMJ70H1D3SH3-ND
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:DMJ70H1D3SH3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:351pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:13.9nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:700V
説明:MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):4.6A (Tc)
Email:[email protected]

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