DMN10H170SVTQ-13 - Diodes Incorporated - トランジスタ-fet、mosfet-シングル DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TSOT-26
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	160 mOhm @ 5A, 10V
電力消費（最大）:	1.2W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	DMN10H170SVTQ-13
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1167pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	9.7nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	MOSFET N-CH 100V TSOT26
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	2.6A (Ta)
Email:	[email protected]