DMS3014SSS-13 - Diodes Incorporated - トランジスタ-fet、mosfet-シングル DMS3014SSS-13

DMS3014SSS-13

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.2V @ 250µA
Vgs（最大）:	±12V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	8-SO
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	13 mOhm @ 10.4A, 10V
電力消費（最大）:	1.55W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:	DMS3014SSS-13DITR DMS3014SSS13
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	16 Weeks
製造元の部品番号:	DMS3014SSS-13
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2296pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	45.7nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	Schottky Diode (Body)
拡張された説明:	N-Channel 30V 10.4A (Ta) 1.55W (Ta) Surface Mount 8-SO
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	10.4A (Ta)
Email:	[email protected]