DMT3020LFDF-7 - Diodes Incorporated - トランジスタ-fet、mosfet-シングル DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	U-DFN2020-6 (Type B)
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	17 mOhm @ 9A, 10V
電力消費（最大）:	700mW (Ta), 1.8W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-UDFN Exposed Pad
他の名前:	DMT3020LFDF-7DITR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	16 Weeks
製造元の部品番号:	DMT3020LFDF-7
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	393pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	7nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 8.4A (Ta) 700mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	8.4A (Ta)
Email:	[email protected]