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EMD2T2R
EMD2T2R
部品型番:
EMD2T2R
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18561 Pieces
データシート:
EMD2T2R.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:300mV @ 500µA, 10mA
トランジスタ型式:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:EMT6
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:22k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:22k
電力 - 最大:150mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
他の名前:EMD2T2R-ND
EMD2T2RTR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:EMD2T2R
周波数 - トランジション:250MHz
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
説明:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:56 @ 5mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:100mA
Email:[email protected]

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