EMD4DXV6T5G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス EMD4DXV6T5G

EMD4DXV6T5G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-563
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	47k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	47k, 10k
電力 - 最大:	500mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-563, SOT-666
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	2 Weeks
製造元の部品番号:	EMD4DXV6T5G
周波数 - トランジション:	-
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
説明:	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	80 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
DMC564000R	Panasonic Electronic Components	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6	オンラインお問い合わせ
NSBA124EDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563	オンラインお問い合わせ
EMF21T2R	Rohm Semiconductor	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6	オンラインお問い合わせ
NSBA144WDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563	オンラインお問い合わせ
RN2601(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6	オンラインお問い合わせ
EMD4DXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	オンラインお問い合わせ
UMF21NTR	Rohm Semiconductor	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6	オンラインお問い合わせ
EMD5DXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	オンラインお問い合わせ
DDC143TH-7	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	オンラインお問い合わせ