EMD62T2R
EMD62T2R
部品型番:
EMD62T2R
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16558 Pieces
データシート:
EMD62T2R.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):150mV @ 500µA, 5mA
トランジスタ型式:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:EMT6
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):47k
電力 - 最大:150mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
他の名前:EMD62T2RTR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:EMD62T2R
周波数 - トランジション:250MHz
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
説明:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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