EMF5XV6T5G
EMF5XV6T5G
部品型番:
EMF5XV6T5G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14593 Pieces
データシート:
EMF5XV6T5G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V, 12V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
トランジスタ型式:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-563
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):47k
電力 - 最大:500mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
他の名前:EMF5XV6T5G-ND
EMF5XV6T5GOSTR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:13 Weeks
製造元の部品番号:EMF5XV6T5G
周波数 - トランジション:-
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 500mW Surface Mount SOT-563
説明:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

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