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EMH9T2R
EMH9T2R
部品型番:
EMH9T2R
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
20521 Pieces
データシート:
EMH9T2R.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:EMT6
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:47k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:10k
電力 - 最大:150mW
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
他の名前:EMH9T2RDKR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:EMH9T2R
周波数 - トランジション:250MHz
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
説明:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:68 @ 5mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:100mA
Email:[email protected]

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