購入 FCP110N65FとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 5V @ 3.5mA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220-3 |
シリーズ: | FRFET®, SuperFET® II |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 110 mOhm @ 17.5A, 10V |
電力消費(最大): | 357W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 6 Weeks |
製造元の部品番号: | FCP110N65F |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 4895pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 145nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 650V |
説明: | MOSFET N-CH 650V 35A TO220 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |