FDB0260N1007L
FDB0260N1007L
部品型番:
FDB0260N1007L
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16927 Pieces
データシート:
FDB0260N1007L.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D2PAK (7-Lead)
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):2.6 mOhm @ 27A, 10V
電力消費(最大):3.8W (Ta), 250W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
他の名前:FDB0260N1007LDKR
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:FDB0260N1007L
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:8545pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:118nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):200A (Tc)
Email:[email protected]

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