FDB050AN06A0
FDB050AN06A0
部品型番:
FDB050AN06A0
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17366 Pieces
データシート:
FDB050AN06A0.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D²PAK (TO-263AB)
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):5 mOhm @ 80A, 10V
電力消費(最大):245W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:FDB050AN06A0DKR
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:9 Weeks
製造元の部品番号:FDB050AN06A0
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3900pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:80nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 60V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):18A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

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