FDB8444TS - Fairchild/ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル FDB8444TS

FDB8444TS

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-263-5
シリーズ:	PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	5 mOhm @ 70A, 10V
電力消費（最大）:	181W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	FDB8444TS
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	8410pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	338nC @ 20V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 40V 20A (Ta), 70A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount TO-263-5
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	40V
説明:	MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	20A (Ta), 70A (Tc)
Email:	[email protected]