FDMT800100DC - Fairchild/ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル FDMT800100DC

FDMT800100DC

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	8-PQFN (8x8)
シリーズ:	Dual Cool™, PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	2.95 mOhm @ 24A, 10V
電力消費（最大）:	3.2W (Ta), 156W (Tc)
パッケージング:	Original-Reel®
パッケージ/ケース:	8-PowerVDFN
他の名前:	FDMT800100DCDKR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	FDMT800100DC
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	7835pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	111nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 100V 24A (Ta), 162A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (8x8)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	MOSFET N-CH 100V 24A
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	24A (Ta), 162A (Tc)
Email:	[email protected]