FDP8441_F085 - Fairchild/ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル FDP8441_F085

FDP8441_F085

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220AB
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	2.7 mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大）:	300W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	FDP8441_F085
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	15000pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	280nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 40V 23A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	40V
説明:	MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	23A (Ta), 80A (Tc)
Email:	[email protected]